パワー半導体の世界市場に関する調査 2015 

2016年02月12日
矢野経済研究所は、パワー半導体の世界市場について調査を実施した。

<パワー半導体とは>

パワー半導体とは主にインバータ/コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子である。本調査では、パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)/IPD(Intelligent Power Device)やダイオード、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC(シリコンカーバイド)、GaN(ガリウムナイトライド)パワーデバイスを含む。

【調査結果サマリー】

◆ 2015年のパワー半導体世界市場規模は前年比7.0%減の148億2,000万ドルの見込
2014年のパワー半導体世界市場は堅調に拡大し、11.3%増の159億3,000万ドルであった。2015年は中国と欧州市場における産業機器向け需要の低迷、PCやTVなどの民生機器用電源の成長鈍化、新興メーカの参入によるコスト競争などが影響し、同年のパワー半導体世界市場規模は、前年比7.0 %減の148億2,000万ドルとなる見込みである。

◆ パワー半導体の世界市場は自動車、産業機器向けが市場を牽引し、2020年は231億ドルに伸張し、2025年は339億1,000万ドルに拡大すると予測
2016年後半より市場は回復基調となり、産業機器向けパワーモジュール、自動車向けダイオード、MOSFETが市場を牽引する。産業機器は新エネルギー、サーボモータ、UPS(無停電電源装置)向けのパワーモジュールの需要増が期待出来る。自動車については、車両1台あたりに搭載されるダイオードとMOSFETの数が増加し、引き続き高い伸びが期待出来る。このため、パワー半導体の世界市場規模は、2020年に231億ドル、2025年に339億1,000万ドルに達すると予測する。

◆ 2020年から本格的にSiC、GaNパワー半導体市場が立ち上がり、2025年の世界市場規模は31億3,000万ドルに達すると予測
SiCはダイオードの採用が中心に進んでいるが、コスト面からSiCトランジスタの搭載は一部用途に限定されている。GaNトランジスタについては、2016年より民生機器用電源を中心に市場が立ち上がる見込みである。このため、これらの次世代パワー半導体の本格的な普及は2020年以降になる可能性が高く、2025年の次世代パワー半導体の世界市場規模は31億3,000万ドルになると予測する。


【調査概要】
調査期間:2015年9月~2016年1月
調査対象:パワー半導体メーカ、ウエハーメーカ、システムメーカ等
調査方法:当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用

詳しいリサーチ内容はネタ元へ
[矢野経済研究所]
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