パワー半導体の世界市場に関する調査 2014 

2014年08月04日
矢野経済研究所は、パワー半導体の世界市場について調査を実施した。
パワー半導体とは、主にインバータ回路やコンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子をさす。
本調査では、パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)/IPD(Intelligent Power Device)やダイオード、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、パワーモジュール、バイポーラトランジスタなどのパワーデバイスを対象とし、Si(シリコン)によるパワー半導体に、SiC(シリコンカーバイド)もしくはGaN(ガリウムナイトライド)など次世代材料によるパワー半導体を加えて、市場規模を算出した。

【調査結果サマリー】

◆2013年におけるパワー半導体の世界市場は143億1,300万ドルへ成長
2013年のパワー半導体の世界市場規模(メーカ出荷金額ベース)は、前年比5.9%増となる143億1,300万ドルとなった。2012年はマイナス成長であったが、2013年は中国市場の需要回復、自動車分野の堅調な伸び、新エネルギー向け機器への投資拡大などがけん引役となりプラス成長となった。

◆白物家電、自動車、産業機器向けの需要が市場を牽引し、2020年におけるパワー半導体の世界市場は294 億5,000 万ドルになると予測
2014年もプラス成長が見込まれ、2015年以降は白物家電、自動車、産業機器向け需要拡大が期待出来る。デバイス別で見ると、パワーモジュールの伸びが最も高く、次世代自動車(HV/EV)や新エネルギー向け機器、工場設備などの成長分野における普及拡大が見込まれ、2020年のパワー半導体の世界市場規模(メーカ出荷金額ベース)は、294億5,000万ドルになると予測する。

◆SiC、GaNなどを使った次世代パワー半導体市場は、2016年から本格的にSiC市場が立ち上がり、2020年の市場規模は28億2,000万ドルに達すると予測
Si(シリコン)によるパワー半導体の性能が物理的限界に近づきつつある中で、Siよりも低損失、高速スイッチング、高耐熱性が実現可能なSiC(シリコンカーバイド)、GaN(ガリウムナイトライド)を使った次世代パワー半導体が注目されている。SiCはこれまでダイオードの採用が中心であったが、2013 年からトランジスタの搭載も一部用途で始まっている。2014年後半から6インチのSiCウエハーでの量産がデバイスメーカ各社で始まり、2015~2016年にかけてコストダウンと採用用途の拡大が進む。SiCパワー半導体が市場を牽引し、2020年の次世代パワー半導体の世界市場規模(メーカ出荷金額ベース)は28億2,000万ドルと予測する。


【調査結果】
調査期間:2013年10月~2014年6月
調査対象:パワー半導体メーカ、ウエハーメーカ、システムメーカ
調査方法:当社専門研究員による直接面談、電話・e-mail によるヒアリング、ならびに文献調査併用

その他、詳しいリサーチ内容はネタ元へ
[矢野経済研究所]
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